ИФП СО РАН: Разработаны новые материалы для использования в силовой электронике

Российские исследователи из Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) создают новую технологию, которая позволит производить важный компонент, необходимый для силовой и носимой электроники, например, СВЧ-печей или систем связи 5G и 6G.

Читайте также 

NEJM: Исследователи из CDC изучали эффективность вакцины JYNNEOS против оспы обезьян

Российским ученым уже удалось вырастить кристаллы нитрида галлия на кремниевых подложках. Теперь они пытаются вырастить основную часть этих кристаллов (тело кристалла), проведя несколько успешных экспериментов в этом направлении. Об этом сообщает Scientificrussia.ru.

Сложность выращивания кристаллов нитрида галлия связана с тем, что они имеют различные параметры решетки и коэффициенты теплового расширения. Несмотря на эти трудности, российские ученые смогли добиться значительного прогресса в процессе зарождения слоев, далее перешли к созданию буферных слоев.

Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что американские ученые объявили о способе выращивания яйцеклеток из клеток кожи.