Российские исследователи из Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) создают новую технологию, которая позволит производить важный компонент, необходимый для силовой и носимой электроники, например, СВЧ-печей или систем связи 5G и 6G.
Российским ученым уже удалось вырастить кристаллы нитрида галлия на кремниевых подложках. Теперь они пытаются вырастить основную часть этих кристаллов (тело кристалла), проведя несколько успешных экспериментов в этом направлении. Об этом сообщает Scientificrussia.ru.
Сложность выращивания кристаллов нитрида галлия связана с тем, что они имеют различные параметры решетки и коэффициенты теплового расширения. Несмотря на эти трудности, российские ученые смогли добиться значительного прогресса в процессе зарождения слоев, далее перешли к созданию буферных слоев.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что американские ученые объявили о способе выращивания яйцеклеток из клеток кожи.
Археологи и палеонтологи их провинции Цзянси совместно с учеными из Университета Юньнань пронализировали останки уникального…
"Роскосмос" опубликовал в своем Telegram-канале снимок шторма, обрушившегося на Москву и Подмосковье. Снимок был сделан…
Башкирские ученые недавно сделали значительное открытие, расшифровав загадочные знаки, найденные в пещерах Шульган-Таш. Обсуждение результатов…
Международная группа ученых завершила исследование, в котором они проанализировали данные о более чем 100 миллионах…
Ученые из Института археологии и этнографии СО РАН описали украшения, найденные в Денисовой пещере на…
В Сибирском государственном медицинском университете (СибГМУ) активно разрабатывается новаторская технология под названием "орган-на-чипе", назначение которой…