Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Москва, 10 апреля 2025 года, — Международный фестиваль молодежного научно-технического творчества «От Винта!» (действует под…
Правительство Российской Федерации предложило рассмотреть регионам систему начисления оплаты за вывоз мусора не по количество…
Итальянские исследователи выдвинули гипотезу о возможном обнаружении следов древней цивилизации под плато Гиза. По данным…
Ученые Кубанского государственного университета решили дойти до истины и разобраться в причинах окрашивания затона Старица…
На Камчатке резко возросла активность вулкана Безымянный. В региональном МЧС предупреждают, что выбросы вулканического пепла…
Каждый второй россиянин не отказался бы от возможности совершить космический полет, однако треть потенциальных путешественников…