Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Российские учёные обнаружили в вечной мерзлоте Арктики вирусы огромных размеров. Эта информация опубликована на сайте «Наука. рф». Исследование,…
Археологи и палеонтологи их провинции Цзянси совместно с учеными из Университета Юньнань пронализировали останки уникального…
"Роскосмос" опубликовал в своем Telegram-канале снимок шторма, обрушившегося на Москву и Подмосковье. Снимок был сделан…
Башкирские ученые недавно сделали значительное открытие, расшифровав загадочные знаки, найденные в пещерах Шульган-Таш. Обсуждение результатов…
Международная группа ученых завершила исследование, в котором они проанализировали данные о более чем 100 миллионах…
Ученые из Института археологии и этнографии СО РАН описали украшения, найденные в Денисовой пещере на…