Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
Во время беседы с изданием Life, нутрициолог Лариса Никитина объяснила, как укрепить иммунитет перед холодами.…
В 2023 году на берегу реки Кубань возле Черкесска, были найдены останки неизвестного животного. В…
Для профилактики сахарного диабета нужно еженедельно заниматься спортом. Регулярная физическая нагрузка позволит сохранить вес в…
Врач отделения эндокринологии Илья Барсуков заявил, что людям после 45 лет необходимо проверять уровень сахара…
В казанской больнице была спасена женщина со множественной миомой. Об этом инциденте рассказали представители медицинского…
14 сентября в МЕГЕ Белая Дача на торжественной церемонии были объявлены лауреаты ежегодной Премии ECO…